空分設(shè)備中分子篩的加熱再生徹底性直接影響其吸附效率和空分系統(tǒng)的穩(wěn)定性。判斷分子篩加熱再生是否徹底，需結(jié)合工藝參數(shù)、設(shè)備狀態(tài)及分析數(shù)據(jù)綜合評(píng)估。

關(guān)鍵工藝參數(shù)監(jiān)測(cè)：再生溫度曲線分子篩再生通常需加熱至200-300℃，加熱階段溫度需持續(xù)達(dá)到設(shè)定值并保持一定時(shí)間（如2-4小時(shí)），確保熱量充分傳遞至分子篩內(nèi)部。冷吹峰值溫度，再生結(jié)束后，用干燥氣體（如空氣或氮?dú)猓├浯捣肿雍Y，其出口溫度會(huì)先下降后因分子篩殘留熱量而回升，形成“冷吹峰值”。冷吹峰值溫度應(yīng)接近再生加熱溫度（如≥150℃）。再生時(shí)間通常為6-8小時(shí)（含加熱、冷吹和充壓階段）。

出口氣體分析：水分含量檢測(cè)，使用露點(diǎn)儀或濕度傳感器監(jiān)測(cè)再生出口氣體露點(diǎn)。再生徹底時(shí)，出口露點(diǎn)應(yīng)≤-60℃（對(duì)應(yīng)水分含量極低）。CO?含量檢測(cè)，通過紅外分析儀或色譜儀監(jiān)測(cè)再生出口CO?濃度。再生徹底時(shí)，CO?濃度應(yīng)接近0 ppm。

設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)觀察：壓力波動(dòng)，再生不徹底時(shí)，分子篩吸附容量下降，導(dǎo)致空分設(shè)備入口壓力波動(dòng)或純度下降。分子篩床層壓差，再生不徹底可能導(dǎo)致分子篩顆粒結(jié)塊或粉塵增多，增加床層壓差。